有許多比較各種新興存儲器的基準(zhǔn)指標(biāo),包括寫入速度、功耗、耐久性、資料保存期限、可擴展性(scalability)等。但新興存儲器的材料、結(jié)構(gòu)、甚至工作機制,都還在快速進展之中,單看這些數(shù)據(jù)并不能有較遠(yuǎn)的能見度。
175度存儲器FLash合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),靜態(tài)存儲器,改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,即可以根據(jù)地址隨機讀寫,用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因為其讀取速度快,210度高溫靜態(tài)存儲器廠家,多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
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磁性隨機存儲器(MRAM)
從原理上講,MRAM的設(shè)計是非常誘人的,它通過控制鐵磁體中的電子旋轉(zhuǎn)方向來達(dá)到改變讀取電流大小的目的,從而使其具備二進制數(shù)據(jù)存儲能力。理論上來說,鐵磁體是長久不會失效的,因此它的寫入次數(shù)也是沒有限制的。
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