RAM隨機存取存儲器(Random Access Memory)
CPU根據(jù)RAM的地址將數(shù)據(jù)隨機的寫入或讀出。電源切斷后,所存數(shù)據(jù)全部丟失。按照集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,RAM又分為兩類:
SRAM靜態(tài)RAM(Static RAM)
靜態(tài)RAM速度非???,只要電源存在內(nèi)容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低,175度動態(tài)存儲器批發(fā),功耗也較大。一般高速緩沖存儲器(Cache memory)用它組成。
測井175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。FLASH存儲器的基本單元電路,與EEPROM類似,也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是一層柵介質(zhì)很薄,作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同,在第二級浮空柵加以正電壓,使電子進入一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用一級浮空柵與源極之間的隧道效應(yīng),把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除,因此各單元的源極聯(lián)在一起,這樣,快擦存儲器不能按字節(jié)擦除,動態(tài)存儲器,而是全片或分塊擦除。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
按其制造工藝可分為
(1)雙極型存儲器特點:運算速度比磁芯存儲器速度約快了 3個數(shù)量級,而且與雙極型邏輯電路型式相同,使接口大為簡化。
(2)MOS晶體管存儲器特點:集成度高、容量大、體積小、存取速度快、價格便宜、功耗低、維護簡單。
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