微弧氧化工藝的整流電源特點(diǎn):
操作方式:本控遠(yuǎn)控操作模式可選擇;
輸出控制方式:直流、單極脈沖或雙極脈沖輸出控制模式可選擇
恒流恒壓、恒功率三種控制模式可選擇
軟啟動(dòng)時(shí)間:軟啟動(dòng)工作時(shí)間可在0-2005范圍內(nèi)整定
整流方式:IGBT逆變軟開關(guān)整流,PWM脈沖步調(diào)制IGBT斬波
脈沖步調(diào)頻率范圍:1000-8000Hz;
人機(jī)操作界面:PLC彩色觸摸屏
主控制器:微弧氧化電源DSP微機(jī)數(shù)字觸發(fā)控制,PWM脈寬調(diào)節(jié)控制,脈沖移相分辨率≤1μ。
微弧氧化時(shí)間對表莫粗糙度的影響
微弧氧化陶瓷膜的表面粗糙度隨著氧化時(shí)間的延長近似呈線性增長。這是由于氧化膜的表面粗糙度與膜層的厚度有直接關(guān)系,而膜層的增厚過程是在極高的能量條件下陶瓷膜的重復(fù)擊穿過程。在氧化初期,作用在膜層上的能量較低,產(chǎn)生的熔融物顆粒較少,膜層的表面粗糙度較低;隨著時(shí)間的延長,膜層表面的能量密度逐漸增大,微弧氧化加工,熔融的氧化產(chǎn)物增多,并通過微孔噴射到表面。在電解液液淬作用下,氧化物冷卻凝固,微弧氧化裝置加工廠家,并發(fā)生多次擊穿。在這種熔融、凝固、再熔融、再凝固的過程中,微弧氧化設(shè)備加工廠家,產(chǎn)生的氧化物顆粒黏附在陶瓷層表面的數(shù)量增多,從而增大了膜層表面的粗糙度。另外,在成膜過程中同時(shí)存在氧化膜的溶解過程,因此,若時(shí)間足夠長,膜層在溶解過程中其表面粗糙度也會(huì)出現(xiàn)小幅度的下降。
微弧氧化技術(shù)工藝優(yōu)點(diǎn)
微弧氧化處理既與電鍍鋅等消耗性陰極處理不同,可用非消耗性的不銹鋼作陰極,避免了重金屬離子從陰極溶入并隨廢水流出污染環(huán)境;又與電鍍硬鉻和重(或硬)陽極氧化等依靠消耗溶液中溶質(zhì)元素在被處理樣品表面形成保護(hù)膜層的工藝不同,微弧氧化處理主要在鋁、鎂等輕合金表面生成金屬自身氧化物的陶瓷層,理論上屬不消耗溶質(zhì)元素的處理工藝。因此該工藝可以被視為既不消耗陰極又基本不消耗電解液溶質(zhì)元素的清潔處理。
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