用正交試驗(yàn)法,對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo),以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì),鎂合金微弧氧化技術(shù),并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察;利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
微弧氧化如何動電位極化曲線檢測?
采用電化學(xué)工作站的三電極體系進(jìn)行測試,測試前為了保證良好的導(dǎo)電性需將試樣一面的陶瓷膜層打磨掉,鎂合金微弧氧化,然后浸泡于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的NaCl水溶液中進(jìn)行測試。動電位范圍設(shè)置為-0.2V~+0.4V(相對于開路電位),掃描速度為1mV/s。采用EchemAnalyst 軟件對極化曲線進(jìn)行Tafel 擬合得到電化學(xué)參數(shù)。
微弧氧化技術(shù)廣泛用途
微弧氧化技術(shù)廣泛運(yùn)用于航空航天、航空公司、機(jī)械設(shè)備、交通出行、石油化工設(shè)備、紡織品、包裝印刷、電子器件、輕工業(yè)、診療等領(lǐng)域。微弧氧化技術(shù)的應(yīng)用推廣已獲得基本成效。該成效在航空航天、車輛、機(jī)械設(shè)備、電子器件、紡織品、輕工業(yè)、等領(lǐng)域中激發(fā)了一股應(yīng)用微弧氧化技術(shù)的風(fēng)潮。微弧氧化技術(shù)是近幾年國內(nèi)盛行的高新科技技術(shù),是原材料表面改性材料的一種關(guān)鍵方式。
溫馨提示:以上是關(guān)于鎂合金微弧氧化-日照微弧養(yǎng)護(hù)技術(shù)-鎂合金微弧氧化技術(shù)的詳細(xì)介紹,產(chǎn)品由日照微弧技術(shù)有限公司為您提供,如果您對日照微弧技術(shù)有限公司產(chǎn)品信息感興趣可以聯(lián)系供應(yīng)商或者讓供應(yīng)商主動聯(lián)系您 ,您也可以查看更多與行業(yè)專用設(shè)備相關(guān)的產(chǎn)品!
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