擦除遠存儲內(nèi)容的方法可以采用以下方法:電的方法(稱電可改寫ROM)或用紫外線照射的方法(稱光可改寫ROM)。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入,抹除時將線路曝光于紫外線下,則資料可被清空,并且可重復(fù)使用。通常在封裝外殼上會預(yù)留一個石英透明窗以方便曝光。
原裝175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,高溫150度讀寫存儲器介紹,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
EEPROM主要用于存儲關(guān)鍵性的數(shù)據(jù),如傳感器的標(biāo)定數(shù)據(jù)、用戶配置參數(shù)等。由于其可編程性和靈活性,讀寫存儲器,EEPROM在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的嵌入式系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。
Flash存儲器則更適用于存儲大容量的數(shù)據(jù)記錄,如文件、圖片、字庫等。此外,F(xiàn)lash存儲器還常用于存儲經(jīng)常讀但很少寫的數(shù)據(jù),如操作系統(tǒng)代碼、應(yīng)用程序等。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
一般地EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限的時候,高溫200度讀寫存儲器容量,該單元就無法再使用了。但在實際應(yīng)用中,可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時,可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限。
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