擦除遠存儲內(nèi)容的方法可以采用以下方法:電的方法(稱電可改寫ROM)或用紫外線照射的方法(稱光可改寫ROM)。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入,抹除時將線路曝光于紫外線下,則資料可被清空,并且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
原裝210度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,可擦除存儲器,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,150度可擦除存儲器價格,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。EEPROM解決了傳統(tǒng)ROM/OTP只能出廠前或一次性固化程序而不利于調(diào)試的問題;也突破了EPROM必須脫機用紫外線來擦除的繁瑣和不穩(wěn)定等問題。EEPROM直接采用電來重寫數(shù)據(jù),并可按字節(jié)進行擦除和再編程,從而克服了一般ROM的缺點和不足。但由于EEPROM的存儲量一般不大,因此只適用于一些小容量存儲的場合。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,210度可擦除存儲器價格,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。Flash 儲存器的標準物理結(jié)構(gòu),稱之為基本位(cell);一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide),而Flash 儲存器的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floating gate)的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜,150度可擦除存儲器介紹,使得Flash 儲存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下,也能透過此浮閘,來保存數(shù)據(jù)的完整性。
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