變壓吸附法是一種靈活的高純氧制備工藝。
其原理是利用吸附劑對不同氣體吸附能力的差異。在加壓時,空氣中的氮氣、二氧化碳等雜質(zhì)優(yōu)先被吸附劑吸附,高純氧批發(fā)價格,而氧氣則穿過吸附床流出,實現(xiàn)初步分離。當吸附劑飽和后,通過降低壓力使吸附的雜質(zhì)解吸排出,吸附劑得以再生循環(huán)使用。通過多個吸附塔交替工作,能夠持續(xù)產(chǎn)出高純氧。
變壓吸附法設(shè)備相對簡單、投資成本低、啟動速度快,特別適合中小規(guī)模用氧需求,在小型工業(yè)企業(yè)等場所應(yīng)用廣泛,能夠靈活滿足不同場景對高純氧的需求。
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在半導體制造中,高純氧是生產(chǎn)芯片的關(guān)鍵氣體之一,用于氧化硅片、清洗設(shè)備和作為載氣。
高純氧的高純度和穩(wěn)定性確保了芯片制造過程中的高精度和低污染。例如,在氧化工藝中,高純氧多少錢一瓶,高純氧與硅反應(yīng)生成二氧化硅層,作為芯片的絕緣層;
在清洗過程中,高純氧用于去除表面雜質(zhì),提高芯片性能。由于半導體對氣體純度要求很高,高純氧哪家純度高,高純氧需經(jīng)過多次凈化,去除微量雜質(zhì),新鄉(xiāng)高純氧,以滿足生產(chǎn)工藝需求。隨著半導體行業(yè)的快速發(fā)展,高純氧的需求將持續(xù)增長。
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低溫精餾法是大規(guī)模制備高純氧的主流技術(shù)。
該方法先將空氣壓縮、冷卻,使其液化。由于空氣中各成分沸點不同,氮氣沸點為 - 196℃,氧氣沸點為 - 183℃,利用精餾塔進行多次氣液交換。在精餾過程中,沸點較低的氮氣先蒸發(fā)為氣態(tài)上升,而沸點稍高的氧氣則在塔底富集為液態(tài)。經(jīng)過精餾與提純,可得到純度高達 99.5% 以上的高純氧。此方法生產(chǎn)規(guī)模大、產(chǎn)品純度高,能夠滿足工業(yè)等眾多領(lǐng)域?qū)Ω呒冄醯拇罅啃枨?,廣泛應(yīng)用于大型制氧企業(yè),為各行業(yè)提供穩(wěn)定和可靠的高純氧來源。
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