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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后，金蒸發(fā)鍍靶材報價，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，同時以1000℃～1600℃進行燒結。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，金蒸發(fā)鍍靶材加工，燒結溫度較低，燒結時間較短。但熱壓法生產的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產ITO薄膜的均勻性，且不能生產大尺寸的靶。
鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光中，金蒸發(fā)鍍靶材，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。
精鋁經過區(qū)熔提純，只能達到5 的高純鋁，但如使用在有機物電解液中進行電解，可將鋁提純到99.9995%，并可除去有不利分配系數的雜質，然后進行區(qū)熔提純數次，就能達到接近于 7 的純度，金蒸發(fā)鍍靶材價格，雜質總含量
制備化合物半導體的金屬如銦、磷，可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬，總金屬雜質含量為 0.1～1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達到≥6 的水平。
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第9年
