公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,啟東大電流mos,為您量身定制適合的芯片方案。
mos管有的時候也稱作絕緣柵場效應(yīng)管,因為它歸屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種能夠普遍應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異,可分成“N型”與“P型”的兩個類型,也就是常說的Nmos、Pmos。
MOS管FET柵源保護:
1)避免 柵極 di/dt 過高
因為選用驅(qū)動集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連,大電流mos廠家,有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動,或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生,一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2)避免 柵源極間過壓
因為柵極與源極的特性阻抗很高,漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓,此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透,因此,要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下,保護 MOS 管不被穿透。
3)安全防護漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護電路,一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓,大電流mos萬芯半導(dǎo)體,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關(guān)速率越快,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管是利用VGS去控制“感應(yīng)電荷”的多少,由此去改變由這些“感應(yīng)電荷”所形成的導(dǎo)電溝道的狀況,以此來控制漏極電流。在管子制造時,通過一些特殊工藝使得絕緣層出現(xiàn)大量的正離子,所以在交界面另一側(cè)可以感測出比較多的負電荷,高滲雜質(zhì)的N區(qū)被這些負電荷接通,導(dǎo)電溝道也就形成了,WP大電流mos,即便在VGS為0時也會有比較大的漏極電流ID。如果柵極電壓發(fā)生改變時,溝道里的被感應(yīng)電荷量也會發(fā)生改變,導(dǎo)電溝道中的寬窄也會隨著改變,因此漏極電流ID會伴隨著柵極電壓的變化而發(fā)生變化。
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