在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過99.995%(4N5)純度的銅靶,貴金屬靶材,或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
根據(jù)電解質(zhì)的種類可分為氯化物熔鹽體系和氟化物-氧化物熔鹽體系電解法,多用于制取以鑭為主的混合稀土金屬以及鑭、鐠、釹等單一稀土金屬。熔鹽電解法為連續(xù)性生產(chǎn)過程,產(chǎn)量較大,設(shè)備簡單,成本較低,但電解槽需用耐高溫氯化物或氟化物腐蝕的結(jié)構(gòu)材料制造。
還原制得含稀土99%的稀土金屬經(jīng)真空精煉(包括真空蒸餾或升華)、電傳輸、區(qū)域熔煉、熔鹽電解精煉等方法處理除去非稀土雜質(zhì)后,貴金屬靶材生產(chǎn)加工,可獲得純度超過99.9%的稀土金屬產(chǎn)品。
在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用領(lǐng)域中,對于的需求也隨著這些產(chǎn)業(yè)的興衰而出現(xiàn)此起彼落此消彼長,貴金屬靶材報價,甚至出現(xiàn)行業(yè)的淘汰而與無緣,例如照相用膠卷??萍嫉倪M步和發(fā)展,貴金屬靶材技術(shù),使傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)發(fā)生劇烈的變遷,也使的供求狀況出現(xiàn)急劇的變化,這種變化也是導(dǎo)致了的價格出現(xiàn)劇烈波動的因素之一。然而在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)不斷的和轉(zhuǎn)型中,依然成為選擇的關(guān)鍵性材料,用更和更科學(xué)的工藝和手段,把的性能發(fā)揮得更淋漓盡致。
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